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品牌 | CHOTEST/中图仪器 |
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WD4000晶圆表面形貌测量设备自动测量Wafer厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。可广泛应用于衬底制造、晶圆制造、及封装工艺检测、3C电子玻璃屏及其精密配件、光学加工、显示面板、MEMS器件等超精密加工行业。
1、厚度测量模块:厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等;
2、显微形貌测量模块:粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。
3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能;纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能;滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能;提取包括提取区域和提取剖面等功能。
4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等;粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数;结构分析包括孔洞体积和波谷。
WD4000晶圆表面形貌测量设备可测各类包括从光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物体表面,从纳米到微米级别工件的厚度、粗糙度、平整度、微观几何轮廓、曲率等,提供依据SEMI/ISO/ASME/EUR/GBT四大国内外标准共计300余种2D、3D参数作为评价标准。非接触厚度、三维维纳形貌一体测量:集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组,使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。
1、无图晶圆厚度、翘曲度的测量
通过非接触测量,将晶圆上下面的三维形貌进行重建,强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV),有效保护膜或图案的晶片的完整性。
2、无图晶圆粗糙度测量
Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像,用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片,细磨硅片粗糙度集中在5nm附近,以25次测量数据计算重复性为0.046987nm,测量稳定性良好。
恳请注意:因市场发展和产品开发的需要,本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改,恕不另行通知,不便之处敬请谅解。
品牌 | CHOTEST中图仪器 |
型号 | WD4000 |
厚度和翘曲度测量系统 | |
可测材料 | 砷化镓 ;氮化镓 ;磷化 镓;锗;磷化铟;铌酸锂;蓝宝石;硅 ;碳化硅 ;玻璃等 |
测量范围 | 150μm~2000μm |
扫描方式 | Fullmap面扫、米字、自由多点 |
测量参数 | 厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度 |
三维显微形貌测量系统 | |
测量原理 | 白光干涉 |
干涉物镜 | 10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个) |
可测样品反射率 | 0.05%~100 |
粗糙度RMS重复性 | 0.005nm |
测量参数 | 显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数 |
膜厚测量系统 | |
测量范围 | 90um(n= 1.5) |
景深 | 1200um |
最小可测厚度 | 0.4um |
红外干涉测量系统 | |
光源 | SLED |
测量范围 | 37-1850um |
晶圆尺寸 | 4"、6"、8"、12" |
晶圆载台 | 防静电镂空真空吸盘载台 |
X/Y/Z工作台行程 | 400mm/400mm/75mm |
如有疑问或需要更多详细信息,请随时联系中图仪器咨询。
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