产品简介

SuperViewW白光干涉晶圆3D形貌测量仪具有测量精度高、操作便捷、功能齐全、测量参数涵盖面广的优点，测量单个精细器件的过程用时短，确保了高款率检测。白光干涉仪的特殊光源模式，可以广泛适用于从光滑到粗糙等各种精细器件表面的测量。

SuperViewW白光干涉晶圆3D形貌测量仪可测各类从超光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物体表面，从纳米到微米级别工件的粗糙度、平整度、微观几何轮廓、曲率等。SuperViewW具有测量精度高、操作便捷、功能齐全、测量参数涵盖面广的优点，测量单个精细器件的过程用时短，确保了高款率检测。白光干涉仪的特殊光源模式，可以广泛适用于从光滑到粗糙等各种精细器件表面的测量。

产品特点

1、干涉物镜

不通倍率的镜头，适应于从超光滑到粗糙度各种表面类型的样品。

2、双通道气浮隔振系统

外接气源和加压装置直接充气的双通道气浮隔振系统，可有效隔离地面传导的振动噪声。

3、声波隔振防护

仪器外壳与内部运动机构采用了分离式设计，有效隔离了声波振动的传导。

4、水平调整装置

倾斜调整旋钮，调整条纹宽度，提高3D图像的重建精度。

5、便携式操纵杆

采用人体工程学设计，集成了XYZ三轴位移和速度、光源亮度的自动控制，并配有紧急停止按钮。

6、真空吸附台

专为半导体晶圆片定制的真空吸附台，确保样品在测量过程中不受空气中微弱气流扰动的影像。

7、3D重建算法

自动滤除样品表面噪点，在硬件系统的配合下，测量精度可达亚纳米级别。

自研3D显微测量软件平台Xtremevision Pro

Xtremevision Pro

全自主开发的第二代显微3D测量软件平台，集成了图像扫描、3D分析、影像测量、自动化测量等四个大的功能模块，能够适配中图W系列、VT系列、WT系列所有3D仪器机型，可自主识别机型种类，二合一机型可在白光干涉和共聚焦显微镜中做到自动切换扫描模式。

Xtremevision Pro 移植了中图在影像闪测领域的成功经验，重构了显微影像测量功能，可针对微观平面轮廓尺寸的点、线间的距离、角度、半径等参数进行直接测量和自动匹配测量。

自动化mark点识别坐标定位自动化功能

Mark点影像识别自动坐标位置校正，多区域坐标点自动定位测量与分析，可组合式完成粗糙度、轮廓尺寸的批量自动化测量。

自动拼接功能

支持方形、圆形、环形和螺旋形式的自动拼接测量功能，配合影像导航功能，可自定义测量区域，支持数千张图像的无缝拼接测量。

SuperViewW白光干涉晶圆3D形貌测量仪具有的测量晶圆翘曲度功能，非常适合晶圆，太阳能电池和玻璃面板的翘曲度测量，应变测量以及表面形貌测量。如针对芯片封装测试流程的测量需求，SuperViewW1的X/Y方向标准行程为140*100mm，满足减薄后晶圆表面大范围多区域的粗糙度自动化检测、镭射槽深宽尺寸、镀膜台阶高等微纳米级别精度的测量。而SuperViewW1-Pro 型号增大了测量范围，可覆盖8英寸及以下晶圆，定制版真空吸附盘，稳定固定Wafer；气浮隔振+壳体分离式设计，隔离地面震动与噪声干扰。

晶圆应用案例

硅晶圆的粗糙度检测

在半导体产业中，硅晶圆的制备质量直接关系着晶圆IC芯片的制造质量，而硅晶圆的制备，要经过十数道工序，才能将一根硅棒制成一片片光滑如镜面的抛光硅晶圆，如下图所示，提取表面一区域进行扫描成像。

如图，制备好的抛光硅晶圆表面轮廓起伏已在数纳米以内，其表面粗糙度在0.5nm左右，由于其粗糙度精度已到亚纳米量级，而在此量级上，接触式轮廓仪和一般的非接触式仪器均无法满足检测要求，只有结合了光学干涉原理和精密扫描模块的光学3D表面轮廓仪才适用。

晶圆IC的轮廓检测

晶圆IC的制造过程可简单看作是将光罩上的电路图通过UV蚀刻到镀膜和感光层后的硅晶圆上这一过程，其中由于光罩中电路结构尺寸小，任何微小的粘附异物和瑕疵均会导致制造的晶圆IC表面存在缺陷，因此必须对光罩和晶圆IC的表面轮廓进行检测。如图是一块蚀刻后的晶圆IC，使用光学3D表面轮廓仪对其中一个微结构扫描还原3D图像，并测量其轮廓尺寸。

晶圆IC减薄后的粗糙度检测

在硅晶圆的蚀刻完成后，根据不同的应用需求，需要对制备好的晶圆IC的背面进行不同程度的减薄处理，在这个过程中，需要对减薄后的晶圆IC背面的表面粗糙度进行监控以满足后续的应用要求。在减薄工序中，晶圆IC的背面要经过粗磨和细磨两道磨削工序，下图是粗磨后的晶圆IC背面，选取其中区域进行成像分析。

如图，粗磨后的表面存在明显的磨削纹路，而3D图像显示在左下部分存在一处凹坑瑕疵，沿垂直纹理方向提取剖面轮廓并经过该瑕疵，在剖面轮廓曲线里可看到该处瑕疵zui大起伏在2.4um左右，而磨削纹理起伏zui大在1um范围内波动，并获取该区域的面粗糙度Sa为216nm，剖面线的粗糙度Ra为241nm。

而在经过细磨后，晶圆IC背面的磨削纹理已基本看不出，选取表面区域进行成像分析。

如图可知，在经过细磨之后，晶圆IC背面的磨削纹理轮廓起伏已经降到36nm附近，其表面粗糙度也已经从200多nm直降到6nm左右。

部分技术指标

恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。

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