产品简介

NS系列抗蚀剂台阶高度仪（搭载LVDC线性可变差动电容传感器）以亚埃级分辨率检测抗蚀剂材料，一站式解决批量检测效率低、数据偏差大、适配性不足等行业痛点。

在半导体芯片制造、光刻工艺等精密加工场景中，抗蚀剂台阶高度的精准测量直接决定了电路图案转移精度、蚀刻工艺稳定性，进而影响产品良率与生产成本。NS系列抗蚀剂台阶高度仪（搭载LVDC线性可变差动电容传感器）以亚埃级分辨率检测抗蚀剂材料，一站式解决批量检测效率低、数据偏差大、适配性不足等行业痛点。

一、核心优势

1.亚埃级精度，数据零偏差

13μm量程下实现0.01埃分辨率，5Å超高解析力，精准捕捉抗蚀剂台阶从纳米级到1050μm的细微形貌，匹配光刻胶、抗蚀剂等精密材料的测量要求，为工艺调整提供可靠数据支撑。

2.工艺深度适配，测量无限制

兼容光刻、蚀刻、沉积、CMP等半导体核心工艺，可精准量化抗蚀剂涂覆、显影、蚀刻后的台阶高度变化，不受抗蚀剂材料硬度、反射率影响，适配不同型号光刻胶检测需求。

3.批量高效检测，降本增效

支持多区域阵列式测量，批量芯片一键完成多点位检测，搭配SPC统计分析功能，直观呈现数据变化趋势，减少人工干预，检测效率提升30%以上，助力精益生产。

4.操作智能便捷，降低使用门槛

500W像素双导航光学影像系统（正视+斜视可选），精准规划扫描路径、实时跟进轨迹，避免抗蚀剂细微结构测量偏差；磁吸式快速换针设计，现场秒级更换测针+软件快速标定，保障检测连续性与重复性。

二、核心功能（针对抗蚀剂测量场景）

1.精准参数测量，覆盖工艺全流程

（1）抗蚀剂台阶高度：精准测量纳米至1050μm范围的台阶高度，量化光刻胶涂覆厚度、显影后残留高度、蚀刻后台阶落差，保障电路图案转移精度。

（2）表面粗糙度辅助分析：同步获取Ra、Rz等数十项粗糙度参数，评估抗蚀剂表面均匀性，避免因表面缺陷影响后续工艺效果。

（3）多维度数据互补：可选配应力测量功能，辅助分析抗蚀剂涂覆后的表面应力分布，为工艺优化提供全面数据。

2.智能测量模式，适配不同检测场景

（1）单区域快速检测：针对研发样品、小批量测试件，影像导航定位后一键启动，快速完成单点精准测量，缩短研发周期。

（2）多区域批量检测：针对量产芯片，按横向/纵向距离阵列设置扫描路径，一键完成整批样品多点位检测，减少重复操作。

（3）3D可视化呈现：自动完成抗蚀剂表面扫描与3D图像重建，细微台阶结构直观可溯，便于排查工艺异常。

（4）SPC统计分析：生成批量检测数据趋势图表，支持质量追溯与工艺偏差预警，助力稳定量产良率。

三、核心应用场景（聚焦半导体核心工艺）

1.半导体芯片制造：光刻胶涂覆厚度检测、显影后台阶高度分析、蚀刻工艺台阶落差测量、CMP后抗蚀剂残留高度管控。

2.*封装工艺：封装过程中抗蚀剂辅助层台阶高度检测，保障封装精度。

3.MEMS器件制造：MEMS结构中抗蚀剂牺牲层台阶高度测量，支撑微型器件研发与量产。

4.科研与高校：光刻工艺研发、新型抗蚀剂材料性能测试，提供精准数据支撑。

（注：产品参数与功能将随技术升级持续优化，具体以实际沟通为准）

NS系列抗蚀剂台阶高度仪以“精准、高效、适配、智能"为核心，匹配半导体行业抗蚀剂测量需求。如需了解产品详细参数、申请样品测试，或针对您的光刻工艺定制专属检测方案，欢迎随时联系中图仪器。